行业判断报告 · Semiconductor 2026

设计拥挤,
材料稀缺,先进制程受制

一份基于 199 家 A 股与港股上市公司的产业链供给格局判断。它直接回答一个问题: 中国半导体的「国产替代」,究竟强在哪、 卡在哪。

样本:199 家上市主体 口径:21 个细分赛道 基准:2026 半年报 + 2025 年报
199
纳入主体,覆盖设计 / 设备 / 材料 / 代工 / 封测五大环节
116 家
芯片设计占 58.3%,供给一端独大
8 个
关键环节供给稀薄,集中于材料与制造
7 个
构成真实替代约束,另有 1 个「稀薄但不卡」
SCROLL
EXECUTIVE SUMMARY

先看结论:真正的问题不在设计,在材料与先进制程

结论先行 · 证据后置
一句话判断

中国半导体的上市供给高度向「设计」一端集中;真正的国产替代约束,集中在关键材料与先进制程——而非设计环节本身。

199家上市主体
芯片设计116 58.3%
半导体设备33 16.6%
半导体材料30 15.1%
封装测试13 6.5%
晶圆代工6 3.0%
三大核心发现
把「龙头描述」升级为「供给格局判断」后,浮现出三个结构性结论
结构失衡
6.1×
材料稀缺
31 家
真实约束
7 / 8

① 设计主体是「代工 + 封测」合计的 6.1 倍; ② 8 个关键稀缺环节合计仅 31 家,低于「逻辑 SoC」单一赛道; ③ 其中 7 个有独立的壁垒与外部依赖证据,构成真实替代约束。

01 · PURPOSE & VALUE

研究问题与价值

半导体是中美科技博弈的核心卡点,国产替代(自主可控)是国家战略。 但「强在哪、缺在哪」这个问题,长期停留在对几十家龙头的印象式描述上——这不足以支撑资源配置与投资判断。

本报告把样本从「几十家龙头」扩大到 199 家上市主体, 用「主体数量 → 资本壁垒 → 外部依赖」三层证据,把两个常被混为一谈的概念严格分开:

口径纪律 · 全文一致
本报告统计什么,不统计什么
是

上市主体数量分布——一个可量化、可复现的结构事实。

否

国产化率——本报告不声称任何「国产化率」,也不把「供给稀薄」等同于「卡脖子」。

边界

结论仅对上市主体成立,未上市创业公司与海外主体不在样本内。

02 · THE LANDSCAPE

全景:供给明显向设计端倾斜

199 家 · 五环节
产业链主体结构
设计 116 家,是「代工 + 封测」19 家的 6.1 倍
6.1×设计 / 制造
芯片设计116 58.3%
半导体设备33 16.6%
半导体材料30 15.1%
封装测试13 6.5%
晶圆代工6 3.0%
未归类1 0.5%
设计内部细分 · 116 家
逻辑与模拟两大赛道占设计主体的 55.2%
逻辑 SoC
38 32.8%
模拟芯片
26 22.4%
功率半导体
18 15.5%
存储芯片
11 9.5%
射频芯片
8 6.9%
传感器 / MCU / 光芯片
4 3.4%
图像传感器 CIS
3 2.6%
结构性观察

资本市场「看得见」的供给结构存在显著不均衡——制造与材料的主体密度,远低于设计侧。这是事实,不是结论。

上市板块 · 199 家
科创板是绝对主通道(62.3%)
科创板
124 62.3%
创业板
37 18.6%
主板
31 15.6%
港股
7 3.5%
市值分层 · 199 家
中市值主导,小市值占四分之一
中 100–1000亿
120 60.3%
小 <100亿
51 25.6%
大 ≥1000亿
28 14.1%

旧的「龙头白名单」天然不含小市值主体,扩大样本后 51 家小市值主体才浮出水面——这正是全量判断的价值所在。

03 · WHERE SUPPLY IS THIN

核心发现:8 个关键环节供给稀薄

稀缺 ≠ 卡脖子
数量倒挂

光刻胶、电子特气、靶材、湿电子化学品、CMP 五类关键材料,叠加代工、CIS、传感器——合计 31 家,仍低于「逻辑 SoC」单一赛道的 38 家。

主体数量 · 稀缺环节 vs 对照
稀缺环节的上市主体密度,远低于设计侧拥挤赛道
逻辑 SoC(对照)
38 19.1%
晶圆代工
6 3.0%
光刻胶
5 2.5%
电子特气
4 2.0%
溅射靶材
4 2.0%
传感器
4 2.0%
湿电子化学品
3 1.5%
图像传感器 CIS
3 1.5%
CMP 材料
2 1.0%

颜色区分:■ 红色 为稀缺且后续构成替代约束的环节,■ 琥珀色 为稀缺但证据不足以判约束的环节。

04 · THE FRAMEWORK

判断方法:稀薄,不等于卡脖子

三层判断 · 逐级收紧

本报告不把「主体数量少」直接等同于「卡脖子」。相反,它用一套三层判断法, 每一层都需要独立的证据才能递进——数据支持到哪一层,结论就写到哪一层。

第一层 · 事实

供给稀薄

上市主体数量少。这是可量化的统计事实,仅此而已,不附带任何战略含义。

第二层 · 结构

结构性供给约束

在「稀薄」之上,叠加资本投入、技术或认证壁垒的独立证据,才构成「高壁垒稀缺环节」。

第三层 · 战略

实际替代约束

再叠加进口依赖、国产份额、客户认证或技术差距证据,才定性为「真实的国产替代约束」。

关键拆分 · 最容易被误读的一点

稀缺环节的壁垒是「资本形成」——建晶圆厂、建产线的天量资本开支,而不是「研发投入」。8 个稀缺环节的研发强度,无一高于设计侧。

资本投入强度 · 相对设计侧基准(1.0×)
壁垒是「资本形成」,不是「研发费用率」
晶圆代工
10.6×
光刻胶
8.0×
电子特气
3.3×
湿化学品
3.3×
CMP 材料
2.4×
溅射靶材
1.7×
CIS
1.1×
传感器
0.63×

竖线为设计侧基准(1.0×)。传感器低于基准——它是唯一「既稀薄、又不具备资本壁垒」的环节,因此不能与其他 7 个环节混为一谈。

全球半导体销售额 · SIA
行业本身在高增长,供给判断需要放在这个背景下
2023 · 526.8 2024 · 630.5 2025 · 791.7 单位:十亿美元 · 全球半导体销售额(+25.6% YoY)
14,313 亿元
中国 IC 产业销售额 · 2024
90%
晶圆代工 CR5 · 2024Q4
4,843 亿块
中国 IC 产量 · 2025
05 · SEGMENT-BY-SEGMENT

逐环节判断:7 个约束,1 个例外

证据分层 · 诚实标注

8 个稀薄环节逐一过检:7 个命中独立的外部依赖证据、构成真实替代约束; 传感器是唯一例外——它稀薄,但既无资本壁垒、也无外部依赖证据。

光刻胶高约束
上市主体5 家
资本壁垒8.0×
国产份额 / 依赖≈8% 高端依赖 >90%
代表:雅克科技、清溢光电、路维光电、恒坤新材、龙图光罩
判断:半导体用国产份额约 8%,日本四家占全球 76%,客户认证 2–3 年——高壁垒叠加高依赖,替代周期长。
电子特气高约束
上市主体4 家
资本壁垒3.3×
国产份额 / 依赖<25% 高端几乎全依赖
代表:华特气体、金宏气体、南大光电、中船特气
判断:国产份额不足四分之一,新供应商认证 1–3 年,高纯品类仍被海外主导。
溅射靶材高端约束
上市主体4 家
资本壁垒1.7×
整体份额 / 高端近四成 高端日美主导
代表:江丰电子、有研新材、阿石创、欧莱新材
判断:整体市占率已从个位数升至接近四成,但 7nm 以下 / HBM 高端靶材仍由日矿金属、霍尼韦尔、东曹主导。
湿电子化学品高端约束
上市主体3 家
资本壁垒3.3×
整体 / G5 级50–60% G5 仅 25–30%
代表:晶瑞电材、上海新阳、艾森股份
判断:整体国产份额已不低,约束集中在最高纯度的 G5 级高端品类。
CMP 材料高端约束
上市主体2 家
资本壁垒2.4×
抛光垫集中度海外 >50%
代表:鼎龙股份、安集科技
判断:抛光垫由陶氏 / 杜邦主导全球过半份额,高端品类替代约束明显。
图像传感器 CIS金额约束
上市主体3 家
资本壁垒1.1×
出货量 / 销售额55%+ vs ≈25%
代表:格科微、豪威集团(韦尔)、思特威
判断:「以量取胜、金额落后」——出货份额过半,但高价值销售额份额仍明显落后。
晶圆代工制程约束
上市主体6 家
资本壁垒10.6×
制程差距2–2.5 代
代表:中芯国际、华虹宏力、晶合集成、长鑫科技
判断:成熟制程供给充分、利用率超负荷;约束在先进制程——EUV 光刻机受制,与台积电差 2–2.5 代。
传感器尚不足以判断
上市主体4 家
资本壁垒0.63×
外部依赖无独立证据
代表:汇顶科技、睿创微纳、敏芯股份、芯动联科
判断:主体稀薄但资本强度低于基准,无独立壁垒证据——「稀薄」不等于「卡脖子」的反例。
CIS · 出货量口径
55%+
国产三家手机 CMOS 出货份额已从不足 40% 跃升至 55% 以上——「量」替代已过半。
CIS · 销售额口径
≈25%
索尼 CIS 营收仍近全球半数;国产三家 2024 年 CIS 营收合计仅约索尼一家三分之一。

CIS 的约束是「价值端替代不足」,而非「整体供给短缺」——数量替代领先、金额替代落后。

晶圆代工 · 成熟 vs 先进
依赖发生在「先进制程」,不是「产能总量」
指标中国大陆台积电
最先进已量产制程12nm / 7nm 风险试产3nm / 2nm
7nm 以下收入占比华虹 40nm 以上为主近 70%
核心瓶颈无法获得 EUVEUV 可用
单片均价约 7,100 元约 27,600 元

成熟制程产能供给充分:中芯月产能 102 万片、利用率 93%;华虹 106%、晶合超 103%。中国大陆 8 英寸占全球约 22%。

06 · WHAT TO DO

三类约束,对应三类决策

决策含义 · 随约束类型分化
资本形成壁垒

关注产能形成

靶材、CMP、湿化学品等环节的壁垒在「建产线」,决策重点应是有效产能落地与良率爬坡,而非单纯看研发投入。

客户认证壁垒

关注客户锁定与耐心资本

光刻胶、电子特气的认证周期 2–3 年,认证通过即锁定供应关系——替代能否兑现取决于认证进度与客户导入,而非当前份额数字。

设备依赖

关注制程突破

晶圆代工的约束在先进制程、根子在 EUV 光刻机的上游设备限制——决策应盯住设备可得性与国产设备突破,而非产能总量。

07 · BOUNDARIES

边界与辨析

口径边界 · 关键辨析
反例 · 传感器

稀薄,但未必卡脖子

传感器主体仅个位数,却因资本投入强度低于基准、且无外部依赖证据,无法判定为替代约束。它证明了本报告的判断方法能识别「不具备壁垒」的环节——而非把所有稀薄环节一律判定为约束。

边界案例 · CIS

数量替代领先,金额替代落后

国产手机 CMOS 出货份额已超 55%,但按销售额口径海外仍占全球 75% 以上。单一「国产化率」无法捕捉这种「以量取胜」的结构差异。

专项依赖 · 晶圆代工

是「制程依赖」,不是「产能稀缺」

大陆成熟制程已是全球主要供应基地(8 英寸占全球约 22%),供给充分。约束被精准锁定在「先进制程的外部设备依赖」上。

口径边界 · 上市主体

结论不外推到全行业

未上市创业公司、非上市 IDM 与海外代工主体不在样本内,因此结论只对「上市主体」这一口径成立,不声称代表整个中国半导体行业。

08 · METHODOLOGY

研究方法与数据来源

可复现 · 可核验
样本

199 家上市主体,而非几十家龙头

覆盖设计、设备、材料、代工、封测五大环节、21 个细分赛道,按 2026 半年报「主营构成」的营收占比自动核验细分归类。

壁垒证据

资本投入强度 + 研发强度,双代理

以 2025 年报口径的「购建固定资产等现金 / 营收」度量资本形成,「研发费用 / 营收」度量研发投入,把「高壁垒」拆成两个可测维度。

外部依赖

进口依赖、国产份额、客户认证三类证据

逐环节采集外部证据,并逐条打开来源原文核验;未获原文核验的估计值,一律不作为高精度数据使用。

数据源

权威口径 + 一手公告

行业总量来自 SIA、CSIA、TrendForce、SEMI、国家统计局;主体维度来自上市公司定期报告原文。

边界与局限 · 诚实披露
以下限制不削弱结论,但界定结论的适用范围
01

口径:本报告统计「上市主体数量分布」,不是「国产化率」;「供给稀薄」是数量事实,不等同「卡脖子」。

02

样本:仅覆盖上市主体,未上市创业公司、非上市 IDM 与海外主体系统性缺席,结论不可外推至全行业。

03

时点:市值层级为检索时点快照,随股价波动;1000 亿 / 100 亿阈值为研究者设定口径,非监管口径。

04

国产份额:多为第三方公开报告的估计值,单一来源、单一年份,多源数值分歧较大,未做交叉验证的部分不以高精度呈现。

05

统计性质:全部分布为截面快照,无时间序列,不做趋势判断。